와이즈파워(대표 박기호)는 15일 계열사인 그랜드텍을 통해 고휘도, 고효율 LED의 핵심 소자인 GaN(질화갈륨) 웨이퍼의 생산공정 기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 발표했다.
이번 발표에 따르면 그랜드텍은 자체 개발한 수소기상증착 장비인 HVPE(Hydride VAPOR Phase Epitaxy) 시스템을 이용한 GaN 박막 형성 기술에 대한 미국 특허를 확보했다.
이 특허기술은 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서도 LED 칩의 성능을 좌우하는 박막형성 기술에 대한 것이다.
LED 칩 공정은 크게 기판에 화합물 박막층을 형성시키는 에피 공정과 LED 칩을 만드는 팹 공정, 완성된 LED를 최종 제품으로 만드는 패키징 공정으로 나눌 수 있다.
그 중에서 에피 공정은 사파이어 기판에 금속화합물 박막으로 된 반도체층을 형성해 에피 웨이퍼를 만드는 과정을 의미한다.
이번 그랜드텍이 미국 특허출원을 완료한 기술은 바로 이 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서 가장 핵심이 되는 박막형성 기술에 대한 것이며 에피 웨이퍼는 사파이어 기판 위에 GaN 박막층을 만드는 것이 핵심공정이다.
GaN 에피 웨이퍼는 LED 및 레이저 다이오드의 핵심 기초소자로서 그동안 대부분 수입에 의존해 왔으며 GaN 웨이퍼는 고휘도, 고효율 성능의 LED 제품을 생산하기 위한 핵심 소자로서 미국 LED 업체인 크리(Cree)사와 미국 TDI 등 극히 일부 회사만이 제조하고 있었다.
그랜드텍의 수소기상증착 장비와 특허기술은 고효율 조명용 LED, UV 칩, 그리고 RF 소자인 HEMT(High Electron Mobility Transistor)분야 등에 적용할 수 있다.
특히 조명과 디스플레이, 기록매체, 통신 등의 산업분야에서 기존의 실리콘 및 화합물 반도체의 특성으로 인해 제한됐던 광전자 산업의 한계를 극복하고 고부가가치 산업의 창출과 더불어 기존의 산업발전 구도를 변화시킬 것으로 기대된다.
박기호 와이즈파워 대표이사는 “그랜드텍은 자체 제작한 수소기상증착 장비와 특허 기술을 상용화해 조명용 LED 시장에서 요구하는 고휘도, 고효율 LED 칩 시장에 진출하는 계획을 추진 중”이라며 “이번 특허 출원을 계기로 수소기상증착 장비와 GaN 기판의 출시를 앞당길 예정”이라고 밝혔다.