에어리퀴드, ZyALD™ 특허 전세계로 확대
에어리퀴드, ZyALD™ 특허 전세계로 확대
  • 최인식 기자
  • 승인 2013.03.26
  • 댓글 0
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반도체 공정 시 탁월한 물리화학적 속성 지녀

[투데이에너지 최인식 기자] 에어리퀴드가 반도체 공정 시 사용되는 ZyALD™(Tris(dimethylamino)cyclopentadienyl Zirconium)에 대한 특허인증을 전세계로 확대한다.

에어리퀴드 전자사업부는 지난 19일 반도체 공정에 사용되는 ZyALD™에 관한 특허를 중국특허청이 승인했다고 최근 밝혔다. 이번 특허는 이미 한국, 싱가포르, 대만 및 여러 유럽국가에서 승인이 완료된 바 있으며 그 외 국가에서도 특허출원이 진행 중에 있다.

에어리퀴드에 따르면 ZyALD™는 반도체 제조 시 지르코늄 프리커서를 이용, 지르코늄 기반의 유전체 증착에서 고온상태로 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)이 가능토록 설계됐으며 지난 2006년 시장에 처음 소개된바 현재 전세계 DRAM 제조에 중요한 High-K 프리커서로 자리매김해 기존 물질들을 대체하고 있다.

또한 높은 휘발성 및 성장률, 열 안정성 등 탁월한 물리화학적 속성을 바탕으로 BEOLMIM(Back End Of Line Metal Insulator Metal) 구조와 e-DRAM을 위한 High-K 레이어에서도 사용이 확대되고 있으며 제조공정에서 프로세스 윈도우 확장이라는 이점이 있다.

ZyALD™는 캘리포니아(미국), 샬롱(프랑스), 쓰쿠바(일본) 등에 위치한 에어리퀴드 ALOHA™센터에서 제조, 전세계 고객들에게 서비스를 제공하고 있다.

Jean-Marc Girard 에어리퀴드 전자사업부 CTO는 “에어리퀴드의 혁신제품은 고객들이 어떠한 프로세스 요건에도 부응할 수 있도록 기여한다”라며 “ZyALD™ 는 ALOHA™의 매우 성공적인 제품 중 하나로 꾸준한 R&D 투자를 통해 지속적인 신제품 출시를 계속할 것”이라고 말했다.

한편 차세대 반도체제조의 핵심이 되는 ALOHA제품라인 프리커서는 미세화 공정에 사용되는 필름소재의 전기적, 기계적 성능을 증가시키며 톤 단위의 실리콘 프리커서부터 소량의 R&D용 제품은 물론 45nm 미만의 디바이스 제조를 위한 고급 CVD와 ALD를 모두 가지고 있다.

이러한 ALOHA™ 프리커서는 에어리퀴드-BALAZS™ 분석기술을 기반, 초고순도 캐니스터와 경쟁력 있는 스펙 등으로 구성된 종합 패키지로 에어리퀴드의 지적재산권에 따라 프리커서를 사용할 수 있는 라이선스도 제공한다.



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